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          脈沖式匝間絕緣耐壓測(cè)試儀、數(shù)字式匝間測(cè)試儀

          更新時(shí)間:2013-10-15   點(diǎn)擊次數(shù):3376次

          脈沖式線圈測(cè)試儀(即數(shù)字式匝間儀)可的、非破壞

          性的對(duì)有線圈繞組的部件進(jìn)行電氣試驗(yàn)。其原理是對(duì)標(biāo)準(zhǔn)線圈繞組和被測(cè)試?yán)@組施加相同的脈沖電壓,比較兩者的瞬態(tài)波形,以測(cè)試被測(cè)線圈的品質(zhì)。瞬態(tài)波形也就是線圈內(nèi)發(fā)生的衰減振

          蕩的波形,他可同時(shí)判斷該繞組的電感、品質(zhì)因素、繞組的圈數(shù)差及匝間短路情況,在有鐵芯的情況下,還可以判斷其材質(zhì)的差別等。在施加高壓脈沖的情況下,電暈放電的發(fā)生還可以

          對(duì)絕緣不良進(jìn)行判斷。總之,標(biāo)志線圈品質(zhì)的各個(gè)要素,可以在極短時(shí)間內(nèi)檢查完成。

          脈沖式線圈測(cè)試儀,采用技術(shù)的高穩(wěn)定性高壓沖擊電源,大幅提高了儀器測(cè)試準(zhǔn)確度。儀器通過(guò)微型計(jì)算機(jī)技術(shù)把波形的各種參數(shù)量化處理,再用直觀的波形進(jìn)行顯示和判斷,操作簡(jiǎn)單,判斷準(zhǔn)確,自動(dòng)化程度高。該儀器體積小,重量輕,便于攜帶。沖擊波形實(shí)例:

          圖1.1-1線圈衰減振蕩波形分析

          ???采用技術(shù)的高穩(wěn)定性高壓沖擊電源和可控硅模塊控制的高壓開(kāi)關(guān)器件,大幅度提高了產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性。(*避免了*代模擬產(chǎn)品“充氣氫閘管”、“示波管”等造成的穩(wěn)定性差,開(kāi)機(jī)預(yù)熱時(shí)間長(zhǎng),壽命短,易老化等問(wèn)題。)

          采用先進(jìn)的數(shù)字信號(hào)處理技術(shù),四種波形比較方法快速判斷線圈品質(zhì),LCM液晶模塊顯示,人性化操作界面,簡(jiǎn)單易學(xué),比較結(jié)果直接顯示,并有多種聲響報(bào)警方式可選擇,體積小,重量輕

          工作原理

          脈沖式線圈測(cè)試儀以MCU中央信息處理系統(tǒng)為核心,由它控制高壓脈沖發(fā)生器對(duì)線圈施加一次極短時(shí)間的高壓脈沖,線圈在脈沖作用下產(chǎn)生自由衰減振蕩,其瞬態(tài)波形的模擬信號(hào)經(jīng)由CPLD可編程邏輯器件控制的高速A/D轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào),然后反饋至MCU中央信息處理系統(tǒng)進(jìn)行時(shí)間、電暈量、面積、相位等參數(shù)的運(yùn)算,處理結(jié)果保存在MCU信息處理系統(tǒng)的電子存

          儲(chǔ)器中,并用直觀易懂的文字、數(shù)據(jù)_________及圖形顯示在240×320點(diǎn)陣液晶模塊LCM上,從而保證了波形重現(xiàn)的真實(shí)性。并且根據(jù)用戶(hù)設(shè)定的條件,對(duì)合格或不合格者進(jìn)行報(bào)警處理。

          線圈質(zhì)量檢查判斷方法

          圖1.3.2_1:波形面積比較

          在任意的區(qū)間內(nèi),對(duì)標(biāo)準(zhǔn)線圈和被測(cè)線圈波形面積進(jìn)行比較。

          如圖1.3.2_1所示,計(jì)算出A-B區(qū)間內(nèi)的面積,判定兩者面積相差的程度。判定的標(biāo)準(zhǔn)用百分比(%)進(jìn)行設(shè)定,計(jì)算結(jié)果在范圍內(nèi)的為合格品。區(qū)間內(nèi)面積的大小,大體與線圈內(nèi)能量損耗成比例,故能以此判斷能量損耗的大小。

          例如被測(cè)線圈有匝間短路時(shí),短路部分的反映是能量的損失增大。

          圖1.3.2_3:波形電暈量比較

          在任意的區(qū)間內(nèi),對(duì)被測(cè)線圈的電暈放電量與設(shè)定值進(jìn)行比較。

          如圖1.3.2_3所示,基本忽略波形差異,在任意的A-B區(qū)間內(nèi),僅在被測(cè)線圈實(shí)測(cè)波形包含的電暈放電尖峰中檢出高頻成分進(jìn)行面積(積分)計(jì)算,并將計(jì)算結(jié)果與設(shè)定值進(jìn)行比較,判定電暈放電量是否合格。可以認(rèn)為該量是模擬方式中檢出的通過(guò)高頻濾波器的量值。

          圖1.3.2_2:波形面積差比較

          在任意區(qū)間內(nèi),對(duì)標(biāo)準(zhǔn)線圈和被測(cè)線圈波形偏差部分的面積與標(biāo)準(zhǔn)線圈波形面積進(jìn)行比較。

          如圖1.3.2_2 所示,計(jì)算出A-B 區(qū)間內(nèi)面積差,對(duì)比標(biāo)準(zhǔn)波形(同圖1.3.2_1)判定偏差的程度。

          判定的標(biāo)準(zhǔn)用百分比(%)進(jìn)行設(shè)定,結(jié)果在范圍內(nèi)的為合格品。波形偏差面積的大小表示電感值及能量損耗程度的總和。此方法可較全面地檢查線圈的電感L值及能量損失。

          圖1.3.2_4:波形相位比較

          對(duì)標(biāo)準(zhǔn)線圈和被測(cè)線圈的波形相位相應(yīng)過(guò)零點(diǎn)(A、B)的差值與設(shè)定值進(jìn)行比較。

          如圖1.3.2_4 所示,以的標(biāo)準(zhǔn)波形的過(guò)零點(diǎn)A 為基礎(chǔ),與被測(cè)線圈實(shí)測(cè)波形相應(yīng)的過(guò)零點(diǎn)B相差的點(diǎn)數(shù)作為判定依據(jù),并將計(jì)算結(jié)果與設(shè)定值進(jìn)行比較,判定波形相位是否合格。由于波形相位與線圈的電感L密切相關(guān),此方法可偏重于檢查線圈的電感L值。
          脈沖式匝間絕緣耐壓測(cè)試儀、數(shù)字式匝間測(cè)試儀

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